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电子元器件详细资料 » IC[26012] » NSBA123TF3T5G
型号:NSBA123TF3T5G类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-1123描述:TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123

详细参数

类别晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
描述TRANS DUAL PBRT PNP SOT-1123
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型PNP - 预偏压
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧2222.2k
电阻器_发射极(R2)111欧222-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)160 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大254mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-1123
供应商设备封装SOT-1123
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市春涛电子有限公司王云0755-82563615 82563213
深圳市科雨电子有限公司周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!171-4729-9698(微信同号)
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